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* * 半导体物 理 Semiconductor Physics 重点 1、表面电场效应与电容-电压特性: 2、阈值电压 3、平带电压 第八章 半导体表面与MIS结构Semiconductor surface and metal-insulator- semiconductor structure §8.3 Si-SiO2系统的性质Characteristics of Si-SiO2 System 1、可动离子 特点:半径较小,带正电,具有热激 活的特点。 如:Na+、K+、H+ Characteristics of Si-SiO2 System 2、固定电荷 位于距Si-SiO2界面约30埃以内,主要是Si-SiO2界面附近的过剩Si+。 3、界面态 存在于Si-SiO2界面离Si表面3-5埃内。 分为施主界面态和受主界面态。 4、陷阱电荷 特点:通常不带电。 Characteristics of Si-SiO2 System
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