模拟CMOS集成电路设计考试题.docx

《模拟CMOS集成电路设计》小测验I （答案写在答题纸上） 1.写出Saturation Region时的ID表达式，并解释其中的每一个参数。 2.什么是沟道调制效应？请用公式简要描述 3.什么是体效应？请用公式简要描述 4.如下图 请标出Cut off Region，Triode Region and Saturation Region。并比较VGS1，VGS2和VGS3的大小。 5.考虑体效应，画出基本的NMOS的小信号模型，并给出gm，gmb和ro的在Saturation Region时的公式。 6.是根据上题，推导出gm，gmb和ro的在Triode Region时的公式。 7.请画出MOS管的电容，并根据三个工作区（Cut off Region，Triode Region and Saturation Region）将电容的公式列出来。 8.已知NMOS器件工作在饱和区。如果 （a） ID恒定，画出W/L对于VGS-VTH的函数曲线； （b） gm恒定，画出W/L对于VGS-VTH的函数曲线； 9.分别画出MOS晶体管的ID-VGS曲线： （a）以VDS作为参数； （b）以VBS为参数，并在特性曲线中标出夹断点。 10. 画出MOS晶体管的ID-VDS曲线，标出三个工作区（Cut off Region，Triode Region and Saturation Region）。