NP2307MR_E上海南麟电子.pdf

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2022-05-14 发布于广东
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NP2307MR 20VP-ChannelEnhancementModeMOSFET Description Schematicdiagram TheNP2307MRusesadvancedtrenchtechnology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. GeneralFeatures V =-20V，I =-6A  DS D R (Typ.) 19 mΩ @V =-4.5V Markingandpinassignment DS(ON) GS R (Typ.) 24.9mΩ @V =-2.5V DS(ON) GS  Highpowerandcurrenthandingcapability  Leadfreeproductisacquired  Surfacemountpackage Application  PWMapplications  Loadswitch Package HF Pb  SOT-23-3L OrderingInformation PartNumber StorageTemperature Package DevicesPerReel NP2307MR-G -55°Cto+150°C SOT-23-3L 3000 AbsoluteMaximumRatings(TA=25℃ unlessotherwisenoted) parameter symbol limit unit Drain-sourcevoltage VDS -20 V Gate-sourcevoltage VGS ±12 V TC=25°C -6 ContinuousDrainCurrent ID A TC=70°C -4 PulsedDrainCurrentC IDP -24 A TC=25°C 1.4 powerdissipation B PD W