NP2302dvr_E上海南麟电子.pdf

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2022-05-14 发布于广东
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NP2302DVR 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description Schematic diagram The NP2302D uses advanced trench technology D to provide excellent RDS(ON) , low gate charge and high density cell Design for ultra low on-resistance. This device is suitable for use as a load switch or in PWM G applications. General Features S  V DS =20V，ID =3A R (Typ.)=31.3mΩ @ V =4.5V Marking and pin assignment DS(ON) GS RDS(ON)(Typ.)=41mΩ @VGS =2.5V SOT-23  High power and current handing capability (TOP VIEW)  Lead free product is acquired D  Surface mount package 3 Application  PWM applications 2 2 D S  Load switch Package 1 2 G S  SOT-23 Ordering Information Part Number Storage Temperature Package Devices Per Reel NP2302DVR-G -55°C to +150°C SOT-23 3000 Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) parameter symbol limit unit Drain-source voltage V DS 20 V Gate-source voltage VGS ±12 V Drain current-continuousa@Tj=125℃