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(2)二极管的限幅作用 + － D uS 10KΩ IN4148 + － u0 iD 图示为一限幅电路。电源uS是一个周期性的矩形脉冲， 高电平幅值为+5V，低电平幅值为-5V。试分析电路的输出 电压为多少。 分析 uS +5V -5V t 0 当输入电压ui=－5V时，二极管反偏截止，此时电路 可视为开路，输出电压u0=0V； 当输入电压ui= +5V时，二极管正偏导通，导通时二极管 管压降近似为零，故输出电压u0≈+5V。 显然输出电压u0限幅在0~+5V之间。 u0 练习 P146 例6-2 当前30页，共57页，星期一。 利用具有单向导电性能的整流元件如二极管等，将交流电转换成单向脉动直流电的电路称为整流电路。 整流电路按输入电源相数可分为单相整流电路和三相整流电路，按输出波形又可分为半波整流电路和全波整流电路。目前广泛使用的是桥式整流电路。 (3)二极管的整流作用 当前31页，共57页，星期一。 利用二极管的单向导电性能就可获得各种形式的 整流电路。 二极管半波整流电路 二极管全波整流电路 桥式整流电路简化图 B 220V ~ RL D IN4001 B 220V ~ RL D1 D2 二极管桥式整流电路 D4 B 220V ~ RL D1 D2 D3 B 220V ~ RL 当前32页，共57页，星期一。 1 单相半波整流电路 当前33页，共57页，星期一。 当u2为正半周时，二极管D承受正向电压而导通，此时有电流流过负载，并且和二极管上的电流相等，即io= id。忽略二极管的电压降，则负载两端的输出电压等于变压器副边电压，即uo=u2 ，输出电压uo的波形与u2相同。 当前34页，共57页，星期一。 当u2为负半周时，二极管D承受反向电压而截止。此时负载上无电流流过，输出电压uo=0，变压器副边电压u2全部加在二极管D上。 当前35页，共57页，星期一。 当前36页，共57页，星期一。 2 单相桥式整流电路 当前37页，共57页，星期一。 u2为正半周时，a点电位高于b点电位，二极管D1、D3承受正向电压而导通，D2、D4承受反向电压而截止。此时电流的路径为：a→D1→RL→D3→b，如图中实线箭头所示。 u2为负半周时，b点电位高于a点电位，二极管D2、D4承受正向电压而导通，D1、D3承受反向电压而截止。此时电流的路径为：b→D2→RL→D4→a，如图中虚线箭头所示。 当前38页，共57页，星期一。 当前39页，共57页，星期一。 当前40页，共57页，星期一。 电工电子技术 主编 曾令琴 电工电子技术 dg半导体二极管与直流稳压电源演示文稿 当前1页，共57页，星期一。 优选dg半导体二极管与直流稳压电源ppt 当前2页，共57页，星期一。 6.1 半导体的基本知识 第6章半导体及其常用器件 6.2 半导体二极管 6.3 特殊二极管 6.4 双极型三极管 6.5 单极型三极管 当前3页，共57页，星期一。 学习目的与要求 了解本征半导体、P型和N型半导体的特 征；了解PN结的形成过程；熟悉二极管的 伏安特性及其种类、用途；深刻理解晶体 管的电流放大原理，掌握晶体管的输入和 输出特性；了解场效应管的结构组成及工 作原理，初步掌握工程技术人员必需具备 的分析电子电路的基本理论、基本知识和 基本技能。 当前4页，共57页，星期一。 6.1 半导体的基本知识 物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体三 大类。金属导体的电导率一般在105s/cm量级；塑料、云母 等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电 导率则在10-9~102s/cm量级。 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导 体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的： 1. 半导体的独特性能 光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强； 热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大； 掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电 能力极大地增强； 半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。 当前5页，共57页，星期一。 2. 本征半导体和杂质半导体 (1)本征半导体 最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价 元素，即每个原子最外层电子数为4个。 + + Si(硅原子) Ge(锗原子) 硅原子和锗原子的简化模型图 Si +4 Ge +4 因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子核只用带圈的+4符号表示即可。 当前6页，共57页，星期一。 天然的硅和锗是不能制作成半导体器件的。它们必须先经过高度提纯，形成晶格结构完全对称的本征半导体。 本征半导体原子