半导体器件物理教学大纲.pdf

半导体器件物理?教学大纲 课程编 0521024 课程类 硕士研究生，学位课 型： 学分： 3 教学时 46 小时 数： Physics of Semiconductor Devices 施敏， John Wiley Sons， 参考教 材： 1982 教学要求： 1．通过本课程的学习，掌握下述半导体器件的工作机理：肖特基二极管， MESFET，量子阱器件，MOSFET,隧道器件，半导体光探测器，半导体发 光 器件，半导体激光器，半导体太阳能电池； 2．掌握上述半导体器件的特性与材料和器件结构之间的关系； 3．了解半导体晶闸管和有关半导体功率器件的工作机理； 4. 了解CCD 器件、IMPATT 器件以及TED 器件的工作机理。 第一章 金属 -半导体接触 〔4〕 1. 金属—半导体接触的外表势及 Schottky 效应 2. 金属 —半导体接触的导电机理 3. 金属 —半导体接触势垒高度 4. 金属 —半导体接触势垒高度测量 5. 金属 —半导体接触势垒高的调整 6. 欧姆接触 第二章 结型场效应晶体管与 MESFET 〔4〕 1. 概述 2 .非均匀掺杂分布的JFET 的直流特性 3. 短沟道 MESFET 4. MESFET 的频率特性 5. 几种JFET 和MESFET 的介绍 第三章 高电子迁移率晶体管 3〕 1. 概述 2. 异质结量子阱中的二维电子气 3. 高电子迁移率晶体管 第四章 电荷耦合器件 〔3〕 1. 概述 2. MIS 二极管的深耗尽和外表势 3. CCD 的工作原理 4. CCD 的主要工作参数 第五章 MOSFET 6〕 1．MOSFET 的种类和根本工作机理 2．MOSFET 的亚阈特性 3．MOSFET 的短沟和窄沟效应 亚阈特性，短沟的判据，短长和沟宽对阈值电压影 响， DIBL 效应及穿通， GIDL 效应，强场效应 4 ．等比例缩小 5．几种 MOSFET 结构的介绍 高性能 MOSFET, LDMOS , VDMOS ,肖特基源漏 MOSFET,凹栅 MOSFET, 非挥发性存储器件等 第六章 PNPN 闸流管及新型半导体功率器件 〔4〕 1．概述 2．PNPN 晶闸管的根本特性 3．PNPN 晶闸管电流电压特性的物理解释 4. Schochle 二极管和三端硅可控晶体管 5．几种新型半导体功率器件的介绍 第八章 半导体隧道器件 4〕 1. 概述 2. 隧道二极管 3 .隧道二极管的I V 特性 4. 隧道二极管的频率特性 5. 几种隧道器件的介绍 第九章 碰撞离化雪崩渡越时间器件 〔3〕 1. 概述 2. IMPATT 二极管的静态特性 3. IMPATT 二极管的动态特性 小信号分析,大信号分析 4. 功率和频率限制 5. TRAPATT 工作模式 第十章 电子转移器件 〔3〕 1. 概述 2. 高场筹及其等面积定那么 3. TED 的工作模式 积累模式,偶极模式,猝灭偶极模式, 第 LSA 模式 十一章 半导体发光器件及半导体激光器 1. 概述 2. LED 的发光原理 辐射跃迁,非辐射跃迁,发光效率, 3. 发光二极管 4. 半导体激光器的工作原理 4〕 5．半导体激光器的工作特性 第十二章 半导体光探测器 〔4〕 1．概述 2．光电导 3．光电二极管 4 ．雪崩光电二极管 5．光电晶体管 第十三章 半导体太阳能电池 〔4〕 1．概述 2．PN 结光伏特性和理想转换效率 3．PN 结太阳能电池 PN 结的光谱响应，I V 特性，温度和辐射效应，器件结构 4 ．其它种类太