卡点脏污排查.pdfVIP

Ø 背景描述 Ø 调试思路 Ø 实验数据分析 Ø 实验结果汇总 Ø 工艺优化方案 Ø 优化后数据跟踪 2 卡点脏污改善 卡点脏污背景描述 ： Ø 卡点脏污 自6.20D班不良平均 占比约1% ，主要类型如下 ： Ø 主要卡点脏污位置为硅片边缘EL下呈现黑色区域 ，无法准确对应到卡点位置。 3 卡点脏污改善 卡点脏污调试思路 ： Ø 描述 ：根据 卡点脏污类型分析 ，85%不良位置无法对应正背石墨舟卡点位置,15%不良位置接近或与卡点位置有接触点 Ø 调试思路 ：1、卡点使用寿命对卡点印的影响； 2、石墨舟为432pcs石墨舟 ，炉管为 一代机 ，无辅助加热 ，工艺时石墨舟中心区域位置受热偏低 ，是否导致卡点印的产生 ； 3、工艺温度 ， 背钝化温控较差 ，SINx步工艺温度的合理性与卡点印的关联性 ； 4、氧化铝后清洗工艺合理性、膜层结构合理性、SINx沉积均匀性与卡点印的关联性 ； 4 卡点脏污改善 更换新卡点后跟踪卡点印实验 ： Ø 结论 ：使用新更换卡点 ，跟踪卡点印 ，480pcs，卡点印1pcs，占比0.21% ，卡点印比例有所下降，但无法彻底解决 ，存在相关性 ，但非 根本原因，后续持续验证 ，卡点周期判定 由原来90天一次更换周期 ，要求调整至45天一次更换周期。 石墨舟不同位置跟踪卡点印实验 ： Ø 结论 ：卡点脏污主要集中在炉中位置 ，对应炉中位置温度偏低可能导致卡点脏污的形成 ，增加中心恒温时间重复验证 ，与卡点脏污关联 性 5 卡点脏污改善 跟踪SINx步初始工艺温度 ： Ø 结论 ：SINx工艺温度基本一致 ，炉中位置除6-5外 ，其他炉管温度差异较小 ，但跟踪其他炉管 ，卡点脏污依然存在 ，卡点脏污与SINx温 度关联性较低 ，方向错误 ，实验终止。 6 卡点脏污改善 调整氧化铝后清洗 占空比强度验证 ： Ø 结论 ：调整氧化铝后清洗 占空比，由原24/8 ，调整至48/8 ，占空比由3 1调整为6 1，跟踪5000pcs，未发现卡点印 ，效率与产线一致 ， 后续进行批量验证。 7 卡点脏污改善 产线批量验证数据汇总 ： Ø 结论 ：跟踪当班生产36017PCS 背钝生产硅片 ，气体脏污/卡点脏污合计4pcs，占比0.02%。后续持续跟踪确认。 8 卡点脏污改善 产线原工艺 ： 产线优化工艺 ： 背钝化 时间 压力 炉尾 温度2 温度3 温度4 温5 NH3 SIH4 N2O SI/N比 功率 开关比 Ar TMA 氧化铝沉积 180 185 280 290 290 290 280 4000 4800 5/150 1700 55 预处理 210 200 420 420 420 420 430 3192 3192 5200 8/48