珠海关于成立功率器件公司可行性报告_模板范本.docx

泓域咨询/珠海关于成立功率器件公司可行性报告  珠海关于成立功率器件公司 可行性报告 xx（集团）有限公司  报告说明 功率器件的击穿电压取决于电场给载流子施加的速度是否能造成半导体材料发生雪崩击穿，因此宽禁带半导体具备更大的击穿电场强度，碳化硅（3.4eV）和氮化镓（3.2eV）的禁带宽度远大于硅（1.12eV），从而碳化硅和氮化镓功率器件的击穿电压高于硅基器件。2）频率：功率半导体的开关时间取决于载流子迁移速度、晶体管发射级和集电极的间距，因而具备更高饱和电子迁移速率和相对小体积的氮化镓（2.5*10^7cm/s）和碳化硅（2*10^7cm/s）功率器件的频率性能高于硅（1*10^