电力电子技术配套教材电子课件(完整版).pptx

电力电子技术配套教材电子课件(完整版).pptx

  1. 1、本文档共200页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
电力电子技术 完整版PPT课件;目录;; 第一阶段是电子管、离子管(闸流管、汞弧整流器、高压汞弧阀)的发展与应用阶段,此时的变流技术属于整流变换,只是变流技术的一小部分。 第二阶段是硅整流管、晶闸管的发展与应用阶段,主要指晶闸管的应用阶段。这一时期,随着整流管特别是晶闸管制造水平的不断提高,半导体变流技术所涉及的应用领域不断扩展. 第三阶段是全控型电力半导体器件的发展与应用阶段,是半导体电力变流器向高频化发展的阶段,也是变流装置的控制方式由移相控制向时间比率控制发展的阶段。 第三阶段的发展是随着全控型器件的发展而逐渐展开的。时至今日,晶闸管应用领域的绝大部分已经或即将被功率集成器件所取代。; 只是在大功率、特大功率的电化、电冶电源与电力系统有关的高压直流输电(HVDC)、静止式动态无功功率补偿装置(SVC)、串联可控电容补偿装置(SCC)等应用领域,晶闸管暂时还不能被取代。 2.电力电子技术的应用 (1)整流: 实现AC.DC的变换。 (2)逆变: 实现DC.AC的变换。 (3)变频: 实现AC.DC.AC(AC.AC)的变换。 (4)交流调压: 把不变的交流电压变换成电压有效值可调的交流电压。 (5)斩波: 实现DC.DC(AC.DC.DC)的变换。 (6)静止式固态断路器: 实现无触点的开关、断路器的功能。 ;;1.1 普通晶闸管 ; 1.1.2 晶闸管的工作原理 晶闸管导通必须同时具备两个条件: (1)晶闸管主电路加正向电压。 (2)晶闸管控制电路加合适的正向电压。 ;1.1.3 晶闸管的伏安特性 晶闸管阳极与阴极间的电压 UA 和阳极电流IA 的关系称为晶 闸管伏安特性。;1.1.4 晶闸管的主要参数 1.正向断态重复峰值电压UDRM 2.反向重复峰值电压URRM 3.通态平均电流IV(AV) Kf =电流有效值/电流平均值 4.维持电流IH 和掣住电流IL 5.晶闸管的开通与关断时间 6.通态电流临界上升率di/dt 7.断态电压临界上升率du/dt 1.1.5 晶闸管的型号及简单测试方法 1.晶闸管的型号; 2.晶闸管的简单测试方法 万用表粗测其好坏。 ;1.2.1 门极可关断晶闸管(GTO) 1.GTO的基本工作原理 GTO触发导通的条件是: 当它的阳极与阴极 之间承受正向电压,门极加正脉冲信号(门极为 正,阴极为负)时,可使α1 +α2 1,从而在 其内部形成电流正反馈,使两个等效晶体管接 近临界饱和导通状态。 当GTO的门极加负脉冲信号(门极为负,阴极为正)时,门极出现反向电流,此反向电流将GTO的门极电流抽出,使电流减小α1和α2也同时下降,以致无法维持正反馈,从而使 GTO关断。 ; 2.GTO的特定参数 (1)最大可关断阳极电流IATO (2)关断增益βq (3)掣住电流IL 3.GTO的缓冲电路 (1)减轻GTO在开关过程中的功耗。 (2)抑制静态电压上升率。 4.GTO的门极驱动电路 5.GTO的典型应用 1.2.2 大功率晶体管(GTR) 大功率晶体管又可称为电力晶体管(Giant Transistor),简称GTR。 1.GTR的极限参数; (1)集电极最大电流ICM (最大电流额定值) (2)集电极最大耗散功率PCM (3)GTR的反向击穿电压 ①集电极与基极之间的反向击穿电压UCBO ②集电极与发射极之间的反向击穿电压UCEO (4)最高结温TJM 2.二次击穿和安全工作区 ; 3.GTR的基极驱动电路及其保护电路 (1)基极驱动电路 ①提供全程的正、反向基极电流,保证GTR可靠导通与关断. ②实现主电路与控制电路的隔离。 ③具有自动保护功能,以便在故障发生时快速自动切除驱动信号,避免损坏GTR。 ④电路尽可能简单,工作稳定可靠,抗干扰能力强。; (2)GTR的保护电路 ①GTR的过电压保护及di/dt、du/dt的限制 ②GTR的过电流保护 4.GTR的应用 (1)具有自关断能力。 (2)能在较高频率下工作。 1.2.3 功率场效应晶体管(PM) ; 1.P-MOSFET的主要特性 (1)输入阻抗高,属于纯容性元件。 (2)开关速度快。 (3)为负电流温度系数。 2.P-MOSFE

文档评论(0)

BLUED + 关注
实名认证
内容提供者

教师资格证持证人

全网 内容最全课件 价格最低 质量最高 不是之一,是唯一。 每个人使用的办公软件版本不一样,如有个别显示不出的文件,建议使用必威体育精装版版。

版权声明书
用户编号:8070063100000015
领域认证该用户于2023年03月20日上传了教师资格证

1亿VIP精品文档

相关文档