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DB61/T1448—2021
目 次
前言II
引言III
1 范围1
2 规范性引用文件1
3 术语和定义1
4 试验系统2
5 试验程序3
6 判据4
7 试验报告4
I
DB61/T1448—2021
前 言
本文件按照GB/T1.1—2020 《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件由西安卫光科技有限公司提出。
本文件由陕西省工业和信息化厅归口。
本文件起草单位:西安卫光科技有限公司、中电科西安导航技术有限公司、西安西岳电子技术有限
公司。
本文件主要起草人:王嘉蓉、安海华、薛红兵、赵辉。
本文件首次发布。
联系信息如下:
单位:西安卫光科技有限公司
电话:029
地址:西安市电子二路61号
邮编:710065
II
DB61/T1448—2021
引 言
间歇寿命试验是使器件重复承受通断转换的过程,以加速器件芯片与安装表面之间所有的键合和界
面应力,它是评价大功率器件可靠性的重要试验项目。由于功率器件,在工作时会经历快速、大幅度的
温度变化,材料热胀冷缩在界面将产生很大的剪切应力,造成原有缺陷(如空洞、裂纹等)逐渐扩大而
失效。
目前,国内外各项标准及详细规范都要求对功率器件进行间歇寿命试验,GJB128A-97对功率器件
间歇寿命试验方法虽有规定,但对其试验温度、试验的升温和降温时间、偏置条件、失效判据等试验条
件规定不明确。
大功率半导体分立器件间歇工作寿命试验方法给出了详细的试验方法,对试验装置、试验的详细程
序、典型试验条件、终点测量要求、失效判据等都做了详细要求。
III
DB61/T1448—2021
大功率半导体分立器件间歇寿命试验规程
1 范围
本文件规定了大功率半导体分立器件(以下简称器件)间歇寿命试验的术语和定义、试验系统、试
验程序、失效判据及试验报告的要求。
本文件适用于大功率双极型晶体管、场效应晶体管、绝缘栅场效应晶体管、二极管等半导体分立器
件的间歇寿命试验。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,
仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其必威体育精装版版本(包括所有的修改单)适用于本
文件。
GJB128A-97 半导体分立器件试验方法
3 术语和定义
GJB128A-97界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
结温 junctiontemperature,Tj
半导体器件有源区的温度。
3.2
壳温 casetemperature,Tc
半导体器件管壳的温度。通常指最接近有源区
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