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磁控溅射操作流程及注意事项 一、打开冷却水箱电源(注：水箱电源是设备的总电源。) 检查水压是否足够大(0. 1MPa)，水压控制器是否起作用。 二、放气 2.1 确认磁控溅射室内部温度已经冷却到室温； 2.2 检查所有阀门是否全部处于关闭状态； 2.3 磁控溅射室的放气阀是 V2，放气时旋钮缓慢打开，这可以保证进入气流不会太 大； 2.4 放气完毕将气阀关紧。 三、装卸试样与靶材 3.1 打开 B 柜总电源(在 B9 面板上)，电源三相指示灯全亮为正常。 3.2 提升或降落(B4 “升”或“降“)样品台要注意点动操作，不要连续操作。 3.3 装卸试样与靶材要戴一次性薄膜手套，避免油污、灰尘等污染。 3.4 磁控靶屏蔽罩与阴极间距为 2-3 毫米，屏蔽罩与阴极应该为断路状态。 3.5 装载试样要注意试验所用样品座位置与档板上溅射孔的对应， 并记录样品座的编号 及目前所对应的靶位。 3.6 降落样品台时要注意样品台与溅射室的吻合， 并用工业酒精擦洗干净样品台与溅射 室的配合面。 四、抽真空 4.1 确认 D 面板“热电偶测量选择”指示“Ⅰ”时； 4.2 确认闸板阀 G2、G4 已经关闭； 4.3 打开 B4 上“机械泵Ⅰ”，再打开气阀 V1，开始抽低真空。 4.4 打开 B3 面板的电源开关， 同时关闭 “复合”键。可以从 B3－1 处观察低真空度。 (低真空测量下限为 0. 1Pa)。当真空度小于 5Pa 可以开始抽高真空。 4.5 关闭气阀 V1，打开 B4 上“电磁阀Ⅰ”(确认听到响声表示电磁阀已开) 4.6 打开 B8 面板的磁控室分子泵电源，按下“START”键，按下FUNC/DATA键，数 字开始逐步上升，等大于 H100.0 后打开闸板阀 G1，随后分子泵速上升并稳定到 H400.0。 4.7 磁控室的高真空度在 B2 面板显示，不要一直开着高真空的测量，也不要频繁开 关, 通常每隔 1-2 小时可打开观察一次，等示数稳定后再关闭(一般不超过3 分钟)。 五、充气 5.1 确认高真空度达到了-4、-5 的数量级，在充气之前必须关闭高真空计； 5.2 打开 A1 面板上 MFC 电源，预热 3 分钟； 5.3 稍关闭闸板阀 G1 到一定程度，但不要完全关紧 5.4 打开 V4、V6 (若是二路进气， V5 应和 V6 同时打开)阀门 5.5 将控制阀扳到“阀控“位置 5.6 打开气瓶阀门，稍旋紧减压阀至压力示数为0. 1MPa 即可； 5.7 调节 MFC 阀控的设定(一般在 30 左右)，再进一步关紧闸板阀使得低真空(B3 －1)读数接近所需的溅射压强，然后通过微调 MFC 阀控得到所需的溅射压强。 六、溅射 6.1 确认溅射靶位电源已经连接。 6.2 确认定位销已经脱开。 6.3 直流溅射 6.3.1 打开电源开关，调节旋钮至电压达到一定值(一般不超过0.3kv)，直流可以 顺利启辉，此时电流开始有数值。 6.3.2 电压与电流乘积为功率值，可继续调节旋钮到所需溅射功率，但是要 小于 160W。 6.3.3 直流溅射的关闭：调节旋钮至最小，关闭电源。 6.4 射频溅射 6.4.1 打开 Uf预热 5 分钟 6.4.2 面板 E 或 F 上的量程按钮设定为 200/40 6.4.3 打开 Ua，并通过粗调与微调 Ua，接近设定工艺功率，然后通过匹配调节， 即调整面板 E 或 F 上的 C1 和 C2 ，得到所需溅射功率。 匹配的调整规定如下：F 为设定功率(小于 160W)，R 要小于 1.5 或 F 的 8%；对于绝 缘材料，在满足 F 功率的要求下， R 要尽量小，且最大不能超过 F 的 15%。 6.4.4 射频溅射的关闭：粗调与微调Ua 关到最小→关闭 Ua→等待 3min→关闭 Uf。 注：连续溅射一小时后需暂停溅射， 关闭气路， 等抽真空 30 分钟后再重新充气溅射。 七、溅射结束 7.1 关闭气瓶阀门，旋松减压阀至压力示数为0； 7.2 将 MFC 阀开关置于“关闭”位，并将流量调至零，然后关闭电源开关； 7.3 关闭 V6 和 V4 阀门(若是二路进气， V5 应和 V6 同时关闭)； 7.4 打开闸板阀，继续抽真空 30 分钟后关闭闸板阀； 7.5 关闭分子泵：按下“STOP”键→等待分子泵速下降到 H100.0 以下→关闭电源。 7.6 关闭电磁阀 I 与机械泵 I。 7.7 等 30 分钟后，关冷却水电源。 八、其他操作说明 8.1 加负偏压 加偏压方法： 打开偏压电源， 调整偏压为 200v 即可。偏压要在开始镀膜之前施加。 8.2 基板加热 8.2.1 确认热偶回路、加热回路连接正常，完好； 8.2.2 打开加热电源 I，设定加热温度，调整电流加热； 8.