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晶振负载电容计算.pdfVIP

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Osci Xtal △C C2 Osco C1 PCF8563 C1 电容是IC生产中引入的,当芯片确定时这些数值就已经确定。△C是布局布线引入的电容。 每个晶振xtal都有要求的负载电容才能实现精确的震荡频率,由上图可知,由于IC以及布局布线,已经引入了C1和△C,其实还引入了其他寄生 电容,比如Cic,但是这些寄生电容比较小,因此忽略不计。为了使内部集成电容 C1 和外部电容构成电容三点谐振电路,需要在外部 OSCI 与地 之间接入一个外接电容C。一旦接入C2,则C1,C2,△C,xtal 构成电容三点式谐振回路,此时 C1,C2,△C 需要满足xtal 的负载电容要求, 即C1*C2/(C1+C2)+△C 要满足xtal 的负载电容要求。当布局布线确定,电容△C 已知,芯片确定,C1 已知(在一个范围内,典型值25pf,最小 15pf,最大35pf),xtal确定,需要的负载电容已知时,就可以计算出外接电容数值大小。 通常计算方法,忽略Cic,C1按典型值25pf,xtal采用32.768khz 的TC38封装,需要的负载电容 12.5pf左右,混入少量布线寄生电容(约3pf), 这种情况下的外接电容C2一般在15pf左右。 图中CI,C2 这两个电容就叫晶振的负载电容,分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,一般在几十皮法。它会影响到晶振的谐振频率和输 出幅度,一般订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。 晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中Cd,Cg 为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic (集成电路内部电容)+△C (PCB 上电容)经验值为3 至5pf 。因此,晶振的数 据表中规定12pF 的有效负载电容要求在每个引脚XIN 与 XOUT 上具有22pF (2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF 寄生电容,定值贴片电容没有24pf, 只有22pf )。 两边电容为Cg,Cd,负载电容为Cl, cl=cg*cd/(cg+cd)+a ,a= Cic+△C(a 的经验值是3.5-13.5pf) 就是说负载电容15pf 的话,两边两个接27pf (定值贴片电容只有27pf,没有30pf )的差不多了, 各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器, 或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚 XO 和晶振输入引脚 XI 之间用一个电阻连接, 对于 CMOS 芯片通常是数 M 到数十M 欧之间. 很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻, 引脚 外部就不用接了。这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处于线性状态, 反相器就如同一个有很大增益的放大器, 以便于起振. 石英晶体也连接在晶 振引脚的输入和输出之间, 等效为一个并联谐振回路, 振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率. 晶体旁边的两个电容接地, 实际上就是电容三点 式电路的分压电容, 接地点就是分压点. 以接地点即分压点为参考点, 振荡引脚的输入和输出是反相的, 但从并联谐振回路即石英晶体两端来看, 形 成一个正反馈以保证电路持续振荡. 在芯片设计时, 这两个电容就已经形成了, 一般是两个的容量相等, 容量大小依工艺和版图而不同, 但终归是比 较小, 不一定适合很宽的频率范围. 外接时大约是数 PF 到数十 PF, 依频率和石英晶体的特性而定. 需要注意的是: 这两个电容串联的值是并联 在谐振回路上的, 会影响振荡频率. 当两个电容量相等时, 反馈系数是 0.5, 一般是可以满足振荡条件的, 但如果不

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