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拟电子技术;第1章 二极管 ;1.1 半导体材料;1.1.1 本征半导体;自由电子与空穴:共价键断裂产生自由电子和空穴;
自由电子带负电荷,空穴带正电荷。;半导体材料具有 [填空1] 特性、 [填空2] 特性及 [填空3] 特性。;1.1.2 杂质半导体;N型半导体:在本征半导体中掺入少量的+5价元素,如磷、砷等元素,即可构成N型半导体。;1.1.3 化合物半导体;P型半导体掺入的杂质元素通常是();P型半导体中的杂质元素称为();N型半导体中多子和少子分别为();1.2 PN结及其特性;1.2.2 PN结的导电性能;2. 反向伏安特性;1.2.3 PN结的电容效应;PN结具有 [填空1]特性,当PN结加正偏电压时 [填空2] ,加反偏电压时 [填空3] 。;The End!
Thank You!;;1.3.2 二极管的伏安特性;图1-16 温度对伏安特性的影响;1.3.3 二极管的参数;温度升高时二极管的反向饱和漏电流将()。;保持二极管的正向导通压降不变,当温度升高时二极管的正向导通电流将();1.4 二极管的应用;2. 下限幅电路;3. 双向限幅电路;1.4.2 整流与滤波;;半波整流滤波电路;2. 单相全波整流;单相全波整流滤波电路;3. 单相桥式整流;单相桥式整流滤波电路;半波整流电路中二极管承受的最大反向电压为()。;在全波整流电路中二极管所承受的最大反向电压为()。;The End,Thanks!;1.5 其他类型二极管;1) 稳定电压;5)动态电阻;;1)稳压电路参数计算;3 设计举例;1.5.2 肖特基二极管;1.5.3 发光二极管(Light-Emitting Diode,简称LED);1.5.4 光敏二极管;1.5.5 变容二极管;THE END!
THANK YOU!;第2章 三极管及其放大电路 ;2.1 三极管;2.1.2 三极管的电流放大作用;2. 放大状态下载流子的运动分析;3. 放大状态下的电流关系分析;;1.三极管按照结构可以分为 [填空1] 和 [填空2] 两种。
2.三极管的电流放大作用是在 [填空3] 状态下实现的,在该状态下基极电流对集电极电流具有控制作用,可表示为 。
;关于三极管结构的描述不正确的是;2.1.3 三极管的特性曲线;2. 输出特性曲线;当三极管的发射极正偏,集电结也正偏就进入饱和工作状态。
集电结正偏意味着集电极的电压很低,低于基极的电压,此时集电极相对于基极的电压为负,管压降uCE很小,在该状态下集电极电流iC随管压降uCE的增???近似成线性增加,这是由于在饱和状态下,集电结的收集作用由于集电结正偏大大减弱,在管压降很小时,集电结完全正偏,收集作用很弱,随着管压降uCE的增大集电结正偏程度减弱,并逐渐转向反偏,收集作用增强,电流iC增加。
在饱和状态下,三极管的集电极电流与基极电流之间没有线性的关系,基极电流的上升并不会引起集电极电流成比例的上升。;2.1.4 三极管的参数;6. 直流电流增益hEF;三极管处于放大状态的条件是();三极管处于饱和状态的条件是();要使三极管处于截止状态应满足的条件是()。;The end;2.2 共射极放大电路及其静态分析;2.2.2 直流通路与交流通路;2.2.3 静态工作点的解析法分析;例2-1 如图2-9(a)所示为某共射极放大电路,Rb=100k,Rc=1k,电源电压为+12V,三极管的放大倍数 ,请估算三极管的静态工作点,并画出放大器的交流通路。;;2. 基极-集电极电流映射关系;3. 集电极电流电压映射关系;2.3.2 静态工作点设置对放大器的影响;2.3.3 输出带载时的动态分析;带载时的交流负载线;The End;2.4 微变等效电路分析法;2. rbe的计算;2.4.2 共射极放大电路微变等效电路分析;2)画交流通路和微变等效电路;例2-2 如图2-19(a)所示为某共射极放大电路,Rs=2kΩ,Rb=200kΩ,Rc=1kΩ,RL=1kΩ电源电压为+12V,三极管的放大倍数 ,请计算 、 ri、ro 及源电压增益;画出微变等效电路,根据微变等效电路可知;2.5 其它放大电路分析;2. 动态分析;② 求输入电阻;③ 求输出电阻;例2-3 共集电极放大电路如图2-20所示,已知Ucc=12V,Re=2kΩ,Rb=100kΩ,信号源内阻Rs=10kΩ,RL=2kΩ,三极管的β=50。
① 请估算放大电路的静态工作点;
② 计算动态参数 、 、ri及ro。;② 计算动态参数;2.5.2 共基极放大电路分析;2. 动态分析;
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