TFT制程简介课件.pptVIP

. * 说明Cs on common BM遮进来的区域 ITO电极区 能够控制液晶分子排列的区域 Cst 金属不透光区 A.R. = 61 % 等效电路图: 显微镜下的DOT . * TFT Device 原件动作原理 :视为一个开关组件 G D S G D S G D S ON OFF i) 在闸极给予适当之电压 :Vgs Vth 使信道感应出电子,由源极(S)导通至汲极(D) ii) 当闸极之电压Vgs Vth 则感应不出电子,使得信道形成断路 Vgs Vth . * TFT-LCD剖面图 . * 整块Panel的动作说明: ITO 透明导电极 CS 储存电容 Gate-Bus-Line Data-Bus-Line 1. Deposition 沉積 / Exposure 曝光 / Developing 顯影 2.Thin Film 薄膜製程 / Photo 黃光(顯影) / Etching 蝕刻 . * TFT制程简介说明 For : NBLCM F.A. Team Author: Jessica _ Lin Date:2009/1/8 . * 目录: TFT制作流程图 TFT制作过程说明 TFT五层制程说明 TFT的制作类型 TFT的工作原理 补充说明: 1.实际显微镜下的比对 2.TFT-LCD的工作说明 其它… . * TFT制作流程图: PreClean Thin Film Deposition 1.Macro-Inspection 2.Monitor PR coating Exposure Developing 1.ADI 2.CD measurement 3.AOI Dry or Wet Etching Resist stripping 1.AEI 2.CD measurement 3.Etch rate monitor 4.AOI PreClean 1.Test key 2.Function test 3.Laser repair Photo Process Thin Film Process Etching Process Final testing . * TFT制程区域划分: 薄膜区--各层之薄膜成长 黄光区--曝光.显影 蚀刻区--图案成形及去光阻 测试区--array及外部电路之检查 Equipment: Plasma CVD ,Sputter-----薄膜 Nikon stepper , Canon scaner----黄光 Dry , Wet Etching----蚀刻 . * TFT制作流程说明: 黄 光 前 洗 净 PR Coating 曝 光 显 影 蚀 刻 去 除 光 阻 检 查 薄 膜 沉 积 循环制程 只有单一层次说明: . * TFT Substrate 1) Gate Metal (AlNd \MoN) 镀上MoN(氮化钼),Al+3%Nd (GATE) 2) G I N (SiNx \a-Si \n+ a-Si) G: Gate SiNx (氮硅化合物,绝缘层) I: a-Si (非结晶硅,通道层) N: N+ (高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差,使成为奥姆接触(Omic contact) 3) S/D Metal (Mo \Al\Mo) 镀上镀上MoN(氮化钼),pure Al(source,drain) 4) Passivation (SiNx) 镀上保护层(把金属部份盖住) 5) ITO (Indium-Tin-Oxide) 镀上ITO (铟锑氧化物,画素电极) . * TFT Layers 五层结构图 Glass Substrate a-Si Gate metal Layer-1 Insulator (G-SiNx) Layer-2 n+ a-Si S/D metal Layer-3 S/D metal Layer-3 Passivation Layer-4 ITO Layer-5 Passivation Layer-4 Source Drain . * TFT制作流程图: Initial clean 初始清洗 Metal 1 Deposition Gate薄膜沈积 Pre-Dep clean 沈积前清洗 Pre-Photo clean 光阻被覆/曝光/显影 Metal 1 photo Layer 1黄光制程 Wet etch Layer 1蚀刻 PR strip 去除光阻 Pre-de