减薄划片工艺介绍.pptx

减薄与划片流程图 减薄工艺简介 划片工艺简介 第1页/共45页 芯片生产工艺流程图 外延片 下料清洗 蒸镀 黄光作业 刻蚀 合金 减薄 划片 测试 分选 减薄、划片位于芯片生产工艺的中游。 第2页/共45页 减薄、划片 COW（chip on wafer） COT (chip on wafer) 减薄、划片 第3页/共45页 减薄、划片工艺中主要使用的机台 研磨机 抛光机 第4页/共45页 减薄、划片工艺中主要使用的机台 激光划片机 裂片机 第5页/共45页 减薄、划片工艺流程图 第6页/共45页 减薄定义 减薄:顾名思义是通过特定的工艺手法将物体由厚变薄的过程。 430μm 80μm 我司减薄的过程是要将厚度约为430μm的COW片（chip on wafer）减薄至80μm±5μm左右 第7页/共45页 上蜡 定义： 将芯片固定在陶瓷盘上便于减薄的过程。 第8页/共45页 上蜡 步骤： 清洁陶瓷盘 上蜡贴片前，首先需要保证陶瓷盘的洁净程度，LED芯片减薄是属于微米量级的操作，任何细微的杂质都可能导致意想不到的异常状况。 第9页/共45页 上蜡 步骤： 涂蜡 将陶瓷盘加热至140℃，保证蜡条能迅速融化，涂蜡过程中需注意要使蜡均匀分布在陶瓷盘表面。 第10页/共45页 上蜡 步骤： 贴片 将需要减薄的芯片小心放置于陶瓷盘上，注意需要赶走芯片与蜡层之间的气泡。 第11页/共45页 上蜡 步骤： 加压冷却 通过加压的方式使，陶盘与芯片之间的蜡均匀分布，并凝固将芯片固定。 第12页/共45页 研磨 定义： 使用钻石砂轮将芯片快速减薄到一定厚度，研磨后芯片厚度值为120±5μm，此步骤大约耗时15min。 430μm 15min 120μm 第13页/共45页 研磨 步骤： 修盘 每次研磨前需使用油石将钻石砂轮修整一遍。此动作意义类似于切菜的前磨刀。 第14页/共45页 研磨 步骤： 归零 归零实际是设置研磨起始点，归零又分为手动归零和自动归零。 第15页/共45页 研磨 步骤： 研磨 砂轮高速自转（1050rpm）并以一定的规律进给将芯片减薄到指定厚度。 第16页/共45页 抛光 定义： 如果说研磨是快速减薄的过程，抛光则是一个缓慢减薄的过程，同时使芯片表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面。 第17页/共45页 研磨 步骤： 镶盘 将锡盘上均匀布满钻石液的过程。 第18页/共45页 抛光 步骤： 抛光 通过抛光液中的钻石颗粒，缓慢减薄芯片。 第19页/共45页 卸片 定义： 将减薄后的芯片从陶瓷盘上卸下来的过程。 第20页/共45页 卸片 步骤： 浸泡 将抛光后的陶瓷盘放入去蜡锅中，加热浸泡5min左右，使芯片从陶瓷上剥离。 第21页/共45页 卸片 步骤： 夹取 用平口镊小心将减薄后的芯片夹只提篮中以便于清洗。由于芯片很薄夹取过程中需非常小心。 第22页/共45页 清洗 定义： 使用一定的化学试剂通过水浴浸泡，QDR冲洗的方式将芯片上蘸有的残蜡清洗干净。 第23页/共45页 清洗 步骤： 去蜡液—ACE—IPA—QDR—IPA—烘干 第24页/共45页 划片定义 划片:是采用激光切割与劈刀裂片配合的方式，将连在一起的管芯分割开来 划片 第25页/共45页 贴片 定义： 使用蓝膜或白膜将减薄后芯片固定的过程。 第26页/共45页 贴片 步骤： 准备工作 用IPA加至无尘布上擦拭chuck表面和滚轮。把vacuum开至off。减薄后80μm芯片很脆弱，需要注重每一个细节。 第27页/共45页 贴片 步骤： 取片 把贴片机vacuum开至off处。小心将贴好的芯片取下。 第28页/共45页 贴片 步骤： 贴片 放铁环，需注意对准卡栓，用平口镊子夹取芯片，放片时芯片正面朝上，使用白膜粘住芯片。 第29页/共45页 切割 使用激光在芯片背面，沿切割道划片。不同尺寸芯片，划片深度不一，深度区间为25至40μm之间。 注意：并未将芯片划穿。 第30页/共45页 裂片 在芯片正面（激光划芯片背面），沿着激光划片的痕迹使用裂片机将管芯完全分离开。 第31页/共45页 倒膜 定义： 将完全分离的管芯由正面贴膜翻转成背面贴膜。 第32页/共45页 倒膜 步骤： 去杂质 将切割与劈裂过程中产生的一些碎屑杂质粘掉。 第33页/共45页 倒膜 步骤： 贴膜 剪一方形蓝膜(大小为 20cm*20cm，长宽误差不大于