TP8350、TP8356驱动大电流高效率设计方案.pdf

南京拓微集成电路有限公司 内置MOS 管TP8350、TP8356 驱动大电流高效率方案 输入电源为锂电池（3.2v≤Vin≤4.2v ） 1．驱动负载150mA ≤Io≤500mA （1）TP8350 典型应用电路 锂电池输入条件下TP8350 驱动大负载电路 建议各器件参数 L=47uH （内阻0.1ohm ），Cin=47uF （实际应用中可不接该电容）， Diode= 1N5817\ 1N5818\ 1N5819， Cout 为20uF 电解电容 （或20uF 胆电容串联0.5 欧姆电阻）和0.1uF 陶瓷电容并联。 驱动400mA 负载下，效率高于80% （2 ）TP8356 典型应用电路 锂电池输入条件下TP8350 驱动大负载电路 建议各器件参数 L=100uH （内阻0.1ohm ），Cin=47uF （实际应用中可不接该电容）， Diode=1N5817\ 1N 5818\ 1N5819， Cout 为20uF 电容 （不分电解电容、胆电容）串联0.5 欧姆电阻和0.1uF 陶瓷电容并联。 驱动400mA 负载下，效率高于80% 2 ． 驱动负载Io150mA 时 TP8350、TP8356 外围器件参数参照TP83 规格书中典型应用电路的参数。 注意：陶瓷电容0.1uF~ 1uF 必须接上，并且靠近芯片输出端。