InGaP基合金量子点的制备及性能研究.docx

3 InGaP基合金量子点的制备及性能研究 摘 要：作为荧光材料领域的一颗新星，CdSe由于具有较窄的半峰宽(FWHM)、较高的荧光量子产率(PL QY)和良 好的稳定性等优异的光学性能，是目前研究最多的量子点之一。但镉量子点由于其重金属特性已经被严格禁止在电 子电气产品中使用，因此开发高性能的无重金属量子点具有重要意义。近年来，化学合成的磷化铟(InP)量子点因其 低毒性，发射波长窄，被认为是取代含重金属量子点，作为商用量子点在显示和照明领域最有前途的材料之一。本 论文主要研究在InP量子点系统中引入镓(Ga)元素，制备的InGaP量子点粒径均一、稳定性强，平均寿命较长。通过 加入不同比例