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泓域咨询/三明消费级存储产品项目投资计划书
报告说明
按照掉电后数据是否可以继续保存在器件内，存储芯片可分为掉电易失和掉电非易失两种，其中易失存储芯片主要包含静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）；非易失性存储器主要包括可编程只读存储器（PROM），闪存存储器（Flash）和可擦除可编程只读寄存器（EPROM/EEPROM）等。
根据谨慎财务估算，项目总投资46009.42万元，其中：建设投资34740.98万元，占项目总投资的75.51%；建设期利息801.65万元，占项目总投资的1.74%；流动资金10466.79万元，占项目总投资的22.75%。
项目正常运营每年
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