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集成电路设计工艺流程
晶体的生长
晶体切片成 wafer
晶圆制作
功能设计 à 模块设计 à 电路设计à 版图设计 à 制作光罩
工艺流程
1) 表面清洗
晶圆表面附着一层大约 2um 的 Al2O3 和甘油混合液保护之 , 在制
作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。
2) 初次氧化
有热氧化法生成 SiO2 缓冲层，用来减小后续中 Si3N4 对晶圆的应
力
氧化技术
干法氧化 Si( 固 ) + O2 à SiO2( 固 )
湿法氧化
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