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常用半导体器件;1.1 半导体基础知识;一、本征半导体;1、本征半导体的结构;载流子;二、杂质半导体 1. N型半导体;2. P型半导体;三、PN结的形成及其单向导电性;PN结的形成;PN结加正向电压导通： 耗尽层变窄，扩散运动加剧，由于外电源的作用，形成扩散电流，PN结处于导通状态。;四、PN结的电容效应; 半导体二极管; 一、二极管的组成; 二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性;从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性;三、二极管的等效电路 1. 将伏安特性折线化;三、二极管的等效电路;四、二极管的主要参数;五、稳压二极管;讨论一  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。;讨论二;清华大学 华成英 hchya@tsinghua.edu.cn;1.3 晶体三极管; 一、晶体管的结构和符号;二、晶体管的放大原理;IB= IBN +IEP-ICBO;电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流;三、晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;四、温度对晶体管特性的影响;五、主要参数;讨论一;讨论二;§1.4 场效应管-单极型晶体管 ;1.4.1、结型场效应管（以N沟道为例）;栅-源电压对导电沟道宽度的控制作用;漏-源电压对漏极电流的影响;夹断电压;;1.4.2. 绝缘栅型场效应管;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型MOS管;MOS管的特性;3. 场效应管的分类工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性;1.4.3 场效应管的主要参数;1. (恒流区)低频跨导 gm ;三、极限参数;1.4.4 场效应管与晶体管的比较;四、场效应的漏极与源极可以互换使用，互换后特性变化不大。而晶体管的发射极与集电极互换后特性差异很大，因此只在特殊需要时才互换。 五、场效应管比晶体管的种类多，因而在组成电路时场效应管比晶体管更灵活。 六、场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但由于场效应管集成工艺更简单，且具有耗电省、工作电源电压范围宽等优点，因此场效应管越来越多地应用于大规模和超大规模集成电路。 七、三极管的输入电阻低，而场效应管的输入电阻高。;本章小结;半导体二极??是由一个PN结构成。它的伏安特性形象的反映了二极管的单向导电性和反向击穿特性。普通二极管工作在正向导通区，而稳压管工作在反向击穿区。 三极管是由两个PN结构成。 场效应管是一种新型管，具有很高的输入电阻和较低的噪声系数，适合做放大器的前置级。; 基本放大电路 ;教学基本要求： 1、如何组成基本放大电路 2、如何分析放大电路;一、放大的概念及放大电路的性能指标;2. 性能指标;2)输入电阻和输出电阻;3)通频带;二、基本共射放大电路的组成及各元件的作用;三、设置静态工作点的必要性;四、基本共射放大电路的工作原理;五、放大电路的组成原则;两种实用放大电路直接耦合放大电路;两种实用放大电路阻容耦合放大电路;讨论;2.3 放大电路的分析方法 ;一、放大电路的直流通路和交流通路; VBB越大，UBEQ取不同的值所引起的IBQ的误差越小。;当VCCUBEQ时，;讨论一;二、图解法 应实测特性曲线  1. 静态分析：图解二元方程;2. 电压放大倍数的分析;3. 失真分析;饱和失真;消除饱和失真的方法;4、图解法的特点;直流负载线和交流负载线;讨论二;讨论三;三、等效电路法;2. 晶体管的h参数等效模型（交流等效模型）;在低频、小信号作用下的关系式;h参数的物理意义;简化的h参数等效电路－交流等效模型;3. 放大电路的动态分析;阻容耦合共射放大电路的动态分析;讨论四：基本共射放大电路的静态分析;讨论四：基本共射放大电路的动态分析;讨论五：阻容耦合共射放大电路的静态分析;讨论五：阻容耦合共射放大电路的动态分析; 放大电路静态工作点的稳定;§2.4 放大电路静态工作点的稳定;一、温度对UBE的影响;二、温度对? 值及ICEO的影响;小结：;;;可以认为与温度无关。;T;二、静态工作点的估算;三、动态参数的估算;分析结果：;;去掉 Ce 后的交流通路和微变等效电路：;;;动态分析：;交流通路：;问题3：Au 和 Aus 的关系如何？;2.4.3 稳定静态工作点措施;二、利用二极管的正向特性进行温度补偿;T;2.5 晶体管单管放大电路的三种接法;一、基本共集放大电路 1. 静态分析;2. 动态分析：电压放大倍数;2. 动态分析：输入电阻的分析;2. 动态分析：输出电阻的分析;二、基本共基放大电路 1.