场效应晶体管全面解析.pptVIP

第三章 场效应管 3.4 场效应管的等效电路 3.4.1 FET直流简化电路模型(与三极管相对照) 场效应管G、S之间开路 ，IG?0。 三极管发射结由于正偏而导通，等效为VBE(on) 。 FET输出端等效为压控电流源， ID受VGS控制。 三极管输出端等效为流控电流源，满足IC=? IB 。 S G D ID VGS S D G ID IG?0 ID(VGS ) + - VBE(on) E C B IC IB IB ? + - 具体电路分析 小信号等效电路 第三章 场效应管 例1 已知?nCOXW/(2l)=2，VGS(th)= 2V, 求ID 解： 假设T工作在放大模式 VDD (+20V) 1.2M? 4k? T S RG1 RG2 RD RS 0.8M? 10k? G ID 带入已知条件解上述方程组得： ID= 1mA VGS= 4V 及 ID= 2.25mA VGS= -1V （舍去） VDS= VDD-ID （RD + RS）= 6V 因此 验证得知： VDS VGS–VGS(th) ， VGS VGS(th)， 假设成立。 返回 小信号电路模型 第三章 场效应管 FET管高频小信号电路模型 当高频应用、需计及管子极间电容影响时，应采用如下高频等效电路模型。 gmvgs rds g d s id vgs - vds + + - Cds Cgd Cgs 栅源极间平板电容 漏源极间电容（漏衬与源衬之间的势垒电容） 栅漏极间平板电容 简化的小信号等效电路 第三章 场效应管 gmvgs rds g d s ic vgs - vds + + - rds为场效应管输出电阻： 由于场效应管IG?0，所以输入电阻rgs ??。 而三极管发射结正偏，故输入电阻rbe较小。 与三极管输出电阻表达式 相似。 rbe rce b c e ib ic + - - + vbe vce βib MOS管简化小信号电路模型(与三极管对照) 返回 gm的含义 第三章 场效应管 FET跨导 得 通常MOS管的跨导比三极管的跨导要小一个数量级以上，即MOS管放大能力比三极管弱。 (MOSFET管） (JFET） 返回 第三章 场效应管 3.5 场效应管电路的分析方法 场效应管电路分析方法与三极管电路分析方法相似，可以采用估算法分析电路直流工作点；采用小信号等效电路法分析电路动态指标。 场效应管估算法分析思路与三极管相同，只是由于两种管子工作原理不同，从而使外部工作条件有明显差异。因此用估算法分析场效应管电路时，一定要注意自身特点。 估算法 MOS管截止模式判断方法 假定MOS管工作在放大模式： 放大模式 非饱和模式（需重新计算Q点） N沟道管：VGS VGS(th) P沟道管：VGS VGS(th) 截止条件 非饱和与饱和（放大）模式判断方法 a)由直流通路写出管外电路VGS与ID之间关系式。 c)联立解上述方程，选出合理的一组解。 d)判断电路工作模式： 若|VDS| |VGS–VGS(th)| 若|VDS| |VGS–VGS(th)| b)利用饱和区数学模型： 第三章 场效应管 第三章 场效应管 小信号等效电路法 场效应管小信号等效电路分法与三极管相似。 利用微变等效电路分析交流指标。 画交流通路 将FET用小信号电路模型代替 计算微变参数gm、rds 注：具体分析将在第四章中详细介绍。 返回 第三章 场效应管 场效应管与三极管性能比较 项目 ? 器件 电极名称 工作区 导电 类型 输入电阻 跨导 三 极 管 e极 b极 c极 放大区 饱 和 区 双极型 小 大 场效应管 s极 g极 d极 饱和区 非饱和区 单极型 大 小 下一章 放大原理 谢谢观看 第3章 场效应晶体管及其应用(共6学时) 学习目标: 　 1．了解各种场效应晶体管的结构，掌握它们的转移特性、输出特性以及主要参数。 2．掌握场效应晶体管的静态偏置电路与静态分析方法。 3．掌握场效应晶体管共源极放大器、共漏极放大器（源极跟随器）的微变等效电路与主要性能参数。 本章内容 3.1 场效应晶体管的基本特性（2学时） 3.2 共源极场效应晶体管放大电路 （2学时） 3.3 源极输出器（2学时） 小结 场效应晶体管的基本特性 耗尽型绝缘栅场效应晶体管 增强型绝缘栅场效应晶体管 场效应晶体管 结型场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管 P沟道结型场效应晶体管 N沟道结型场效应晶体管 P沟