场效应管识别与检测.pptVIP

G D S N+ N+ P EG N沟道增强型绝缘栅场效应管的导通 ED ID 开启电压UGS（th） 在一定的漏—源电压UDS下，使场效应管由不导通变为导通的临界栅—源电压，称为开启电压。 无沟道 有沟道 UDS=常数 UGS(V) ID (mA) 0 转移特性曲线 漏极特性曲线 (也叫输出特性曲线) N沟道增强型场效应管的特性曲线 UGS=1V 2V 3V 4V ID (mA) UDS(V) 0 （输入电压对输出电流的控制特性） 常 用 电 子 元 器 件 -场效应管 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点:　　具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS 场效应管有两种: 结型场效应管(JFET)因有两个PN结而得名； 绝缘栅型场效应管(JGFET)则因栅极与其他电极完全绝缘而得名。 一、场效应管的种类 一、场效应管的种类 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种。 绝缘栅型场效应管与结型场效应管的不同之处在于它们的导电方式不同。 若按导电方式来划分， 绝缘栅型场效应管又可分成耗尽型与增强型。 结型场效应管均为耗尽型。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应晶体管的种类 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 一、结构 结型场效应管: 导电沟道 二、场效应管的原理 N P P G(栅极) S源极 D漏极 N沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G(栅极) S源极 D漏极 P沟道结型场效应管 D G S D G S 绝缘栅场效应管: 一、结构和电路符号 P N N G S D P型基底 两个N区 SiO2绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N沟道增强型 N 沟道耗尽型 P N N G S D 预埋了导电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 预埋了导电沟道 三、场效应管的识别与检测 1．场效应管外形的识别 塑料封装场效应管 金属封装场效应管 2．场效应管的符号 2．场效应管的符号 在有些大功率MOSFET管中的G-S极间或D-S极间增加了保护二极管，以保护管子不致于被静电击穿，这种管子的电路图符号如图所示。 3. 场效应管引脚的识别 场效应管也有三个引脚，分别是栅极(又称控制极)、源极、漏极3个端子。 场效应管可看作一只普通晶体三极管，栅极G对应基极b，漏极D对应集电极C，源极S对应发射极E。 N沟道对应NPN型晶体管，P沟道对应PNP晶体管。 3. 场效应管引脚的识别 直接目测识别 G D S S S D G 散热片 散热片 1.结型场效应晶体管栅极的判断 2. 场效应晶体管好坏的判断 ??? 先用MF10型万用表R*100KΩ挡（内置有15V电池），把负表笔（黑）接栅极（G），正表笔（红）接源极（S）。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再该用万用表R*1Ω挡，将负表笔接漏极（D），正表笔接源极（S），万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。 4. 场效应管引脚的检测 四、场效应管的主要参数 ① 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 ② 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 ③ 饱和漏极电流IDSS 耗尽型场效应三极管, 当VGS=0时所对应的漏极电流 ④ 输入电阻RGS 场效应三极管的栅源输入电阻的典型值， 结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，绝缘栅型场效应三极管, RGS约是109～1015Ω。 ⑤ 低频跨导gm 低频跨导反映了栅源电压对漏极电流的控制作用。(相当于普通晶体管的hEF )，单位是mS(毫西门子)。 ⑥ 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。 ⑦ 极限漏极电流ID 是漏极能够输出的最大电流，相当于普通三极管的ICM ， 其值与温度有关，通常手册上标注的是温度为25℃时的值。一般指的是连续工作电流，