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泓域咨询/保定功率半导体芯片项目投资计划书
报告说明
离子注入工艺技术原理是利用离子源产生的等离子体,在低压下把气态分子借电子的碰撞而离化成离子,经过引出离子电极(吸极)、质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔体等高技术设备将掺杂元素注入到硅片中。离子注入工艺多用于制造集成电路芯片、SiC功率器件。
根据谨慎财务估算,项目总投资20448.80万元,其中:建设投资15560.10万元,占项目总投资的76.09%;建设期利息220.13万元,占项目总投资的1.08%;流动资金4668.57万元,占项目总投资的22.83%。
项目正常运营每年营业收入44900.00万元,综合总成本费用34840.5
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