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FP5207B：带软启动工作频率可调DC-DC升压IC FP5207B DFN-10L(EP)封装，远翔DC-DC 电源管理大功率升压恒压芯片，带软启动可调 频率可调。 芯片概述 FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片，外置N沟MOS 驱动，与肖特基和电感形成回 路组成升压架构;工作电压低至2.8V 启动，可适用已单节电池供电，高至24V 宽压工作， 甚至可通过外部三极管稳压高压供电;恒压基准(VFB)为1.2V±2%，电压高误差小，提高输 出的准确度;工作频率(RT)可调为100-1000KHz，可根据需求调整频率段;软启动(SS)可调， 可根据需要启动时间来调整。 芯片特色 效率高达90%以上 低功耗，芯片关机功耗最低3uA 启动电压2.8V，稳定工作电压5-24V，扩展电压为24-48V 恒压基准值为1.2V±2% 工作频率 100-1000KHz 芯片软启动可调 （SS） 芯片输入具有可调过流保护 （OCP） 芯片输入低压保护 （UVP） 芯片具有过温保护 （OTP） 引脚说明 电路图 应用元件 C1、C7：输入与输出稳压电容。 C2、C6、C8：高频噪声滤波电容。 C3：输入电源接 HVDD 经过内部稳压管到 VDS 产生 8V，此电压会提供内部电路与 EXT Pin驱动外部 Q2 的闸极，需要加稳压电容。 C4、C5、C13、R1、R5：系统的补偿回路，关系到系统的稳定度。 C17：软启动电容，改变电容值调整启动时间。 L1：电感具有储能与滤波功用，感值越大电感涟波越小，相对感值越小涟波越大。选用电 感需注意电感是否适合高频操作，及电感额定饱和电流值。 D1：当 Q2 截止时，D1 萧特基管导通提供电感放电回路。 Q2：使用内阻低的 NMOS，Drain 端高电压等于输出 19V，耐压选用 19V 的 1.5 倍。 R3：Vin 与 EN 之间接 200kΩ，自动启动 IC。 R6：调整工作频率电阻。 R11、R12：分压电阻设定输出电压。 R8：预留作为 EMI 对策。 Rcs：电感峰值电流检测与过电流保护电阻。 PCB 图 注意事项: 大电流路径走线要粗，铺铜走线最佳。 开关切换连接点 L1、Q2 的 Drain 端与 D1，走线要短与粗，铺铜走线最佳。 输入电容 C6 靠近 HVDD 与 GND Pin，达到稳压与滤波功效。 分压电阻 R11/R12 靠近 FB 与 GND Pin。 FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1，避免受到干扰。 输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地，铺铜走线，上下层地多打洞连接。 输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地，可以降低开关切换突波，降低输出高频噪声。 Rcs 靠近 CS 与 GND pin。 板子多余空间建议铺地。 大瓦数应用示范