无机电致发光器件.pptx

无机电致发光器件;3.1 ELD概述;3.1.3 ELD分类： 按结构：分散型EL和薄膜型EL。前者的发光层以粉末荧光体的形式构成。后者的发光层以致密的荧光体薄膜构成。 按驱动方式：交流驱动型EL和直流驱动型EL。 以上可以排列组合出四种EL元件的类型。;以上四种EL器件的特征如下图所示。 　 ;3.1.4 ELD的特征 ： 视角大，无闪烁。 图像显示质量高。 工作温度范围宽；受温度变化的影响小。 是全固体显示元件。 有小功耗、薄型、质轻等特征。;3.2分散型ELD的结构和原理;2) 分散型交流ELD发光机制：;在ZnS颗粒内沿线缺陷会有Cu析出，形成电导率较大的CuxS(P型或金属电导状态)， CuxS与ZnS形成异质结。 当施加电压时．CuxS/ZnS界面上会产生高于平均场强的电场强度(105-106v/cm)。使位于界面能级的电子通过隧道效应向ZnS内注入，与发光中心捕获的空穴发生复合，产生发光。 当发光中心为Mn时，如上所述发生的电子与这些发光中心碰撞使其激发．引起EL发光。 ;1. 亮度L与电压间的关系为 L0与V0分别为常数，其数值的大小与荧光体的粒径，活化剂及共活化剂的浓度，发光层的厚度，有机粘结剂的介电常数等相关。 2. 发光效率随电压的增加,先是增加而后减小。发光效率的最大值一般可从亮度出现饱和趋势的电压区域得到。 ;3.2.2.分散型直流ELD;1. ITO：正极。AL：负极。 2. 在定形化处理过程中Cu2+离子会从透明电极附近的荧光体粒子向AL电极一侧迁移。 ;3.结果在透明电极一侧会出现没有CuxS包覆的电阻率高的ZnS 层(脱铜层)。 4.外加电压的大部分会作用在脱铜层上，在该层中形成106V/cm的强电场。 5.在此强电场作用下，会使电子注入到ZnS层中，经电场加速，成为过热电子。 6.过热电子直接碰撞Mn2+会引起其激发，引发EL发光。;L-V特性和?-V同分散型交流ELD。 直流驱动: V=100V, L=500cd/m2。 占空比1%的脉冲波形电压驱动：亮度等同直流驱动。 ? ＝0.5-1lm/W。 ;3.3 薄膜型ELD的制备和原理3.3.1薄膜型交流ELD(ACTFELD);2) 绝缘层作用-保护发光层，使器件稳定;3) 主要绝缘层材料的介电特性 ;4) 绝缘层薄膜的品质因素;5) ACTFELD对透明电极的要求;当VVth(1cd/m2)时，由于隧穿效应，电子???绝缘层与发光层间的界面能级隧穿进入发光层的导带，被106V/cm的强电场加速，使其成为过热电子，并碰撞激发Mn等发光中心。被激发的内壳层电子从激发能级向原始能级返回时，产生EL发光。 高电场区和初始电子的存在是碰撞离化过程的必要条件。;亮度在Vth处急剧上升，此后出现饱和倾向。 发光效率在亮度急剧上升的电压范围内达最大值。 上升沿：数微秒， 　下降沿：数毫秒， 　亮度：与电压频率(数千赫兹)呈正比增加。;8) ACTFELD等效电路;9) ACTFELD的驱动电压极性与光输出波形;10) ACTFELD发光材料特性;ACTFELD发光亮度与掺杂浓度的关系;ACTFELD发光亮度与掺杂浓度的关系;ACTFELD发光亮度与掺杂浓度的关系;ACTFELD发光亮度与掺杂浓度的关系;ACTFELD发光亮度与掺杂浓度的关系;ACTFELD发光亮度与掺杂浓度的关系;11) flat panel ACTFEL displays (from Planar Systems Inc.) ; 器件结构：在薄膜发光层的两侧直接形成电极。1-Al电极；2-发光层；3-透明电极；4-玻璃基板。 器件的发光机制：碰撞激发型 由于没有绝缘膜保护，很难保证不发生绝缘破坏，因此难以稳定地维持强电场，从而需要导入限制电流层。 ;3.4 陶瓷厚膜为绝缘介质的电致发光器件 –加拿大ifire公司ceramic thick-film dielectric electroluminescent devices (TDELDs) ;1) TDEL器件的结构 ;2) 颗粒对TFEL和TDEL器件的影响 ;3) TDEL器件的介质特性; 4) TDEL器件的特性 ;4) TDEL器件的特性;4) TDELD彩色实现方案;5) TDEL的优势;6) 17英寸TDEL彩色显示器 ;7) 34英寸TDEL彩色显示器;3.5 LED的结构和发光基本原理;1) LED的特性： 属于固体元件，工作状态稳定、可靠性高，其连续通电时间(寿命)可达105h以上。 驱动电压仅为几伏，电流为数十毫安。 尺寸通常为数百微米见方，是很小的。 发光颜色，近于单色光， 即其发光的光谱是很窄的。 ;将LED芯片置于导体框架上，连接引线之后，用