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【摘要】
氧化锌（ZnO）材料的能带隙和激子束缚能都比较大，常温发光性能优异，是具有良好的光催化、机械和电子性能的半导体氧化物之一。为了实现光催化的高性能降解活性，催化剂应具有半导体性能的最佳带隙、大的比表面积
等。此外，还应与其他半导体结合产生界面效应，来提高光催化剂的光催化效率。在氧化物半导体中，氧化铈
（CeO2）是有较高的介电常数，介电常数ε=26且禁带为3.2 eV的稀土氧化物，化学性质稳定，可以用做抛光材料、紫外线吸收剂、电子陶瓷等。将ZnO与CeO2复合，可以使二者的优势结合。复合纳米ZnO/CeO2 既具有ZnO的光催化活性又有纳米氧化铈的储存氧气、
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