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2023-02-03 发布于四川
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新型IGBT结构.pdf

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本实用新型提供了一种新型IGBT结构，包括半导体衬底和至少一个元胞结构，元胞结构包括：设置于半导体衬底一侧的漂移区；设置于漂移区一侧的第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元，第一沟槽栅单元与第二沟槽栅单元上设有多个连接层，多个连接层间隔排布于第一沟槽栅单元与第二沟槽栅单元上；其中，第一沟槽栅单元和第二沟槽栅单元相邻侧之间设有第一阱区，第一沟槽栅单元远离第二沟槽栅单元侧设有第二阱区和第一源区，第二沟槽栅极单元远离第一沟槽栅单元侧设有第三阱区和第二源区。本实用新型能够有效地降低其结构带来的栅极电容的上升，从

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212342632 U (45)授权公告日 2021.01.12 (21)申请号 202021192924.3 (22)申请日 2020.06.24 (73)专利权人江苏宏微科技股份有限公司