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精选
精选
设计指标:
AV250,Ri≥10kΩ,RL=5.1kΩ, BW=50Hz~50kHz,D5% 。设计条件:
输入信号(正弦信号):2mV≤Vi≤5mV,信号源内阻:Rs=50Ω,电源电压:VCC=12V;
半导体三极管 9013,参数:β=100,r bb’=300Ω,Cμ=5pF,fT=150MHz,3V≤VCC≤20V,
PCM=625mW,ICM=500mA,V(BR)CEO=40V。
电路选型:
小信号放大电路选用如图 1 所示两级阻容耦合放大电路,偏置电路采用射极偏置方式,为了提高输入电阻及减小失真,满足失真度 D5%的要求,各级射极引入了交流串联负反馈电阻。
指标分配:
要求 AV250,设计计算取AV=300,其中T1 级 AV1=12,AV2=25;Ri≥10kΩ 要求较高, 一般,T1 级需引入交流串联负反馈。
半导体器件的选定
指标中,对电路噪声没有特别要求,无需选低噪声管;电路为小信号放大,上限频率 fH=50kHz,要求不高,故可选一般的小功率管。现选取 NPN 型管 9013,取 β=100。
各级静态工作点设定
1动态范围估算:T 级:V
1
im1
? 2V
imax
? 5 2mV, A
V1
? 12,
2V ? A V ? 12? 5
2
? 84mV 。
om1 V1 im1
T2 级:V ? V ? 84mV , A
? 25 ,
im2 om1 V2
V ? A V ? 25 ? 84 ? 2.1V 。
om2 V2 im2
为避免饱和失真,应选: C
CEQ
? V ? V
om CE(sat)
;可见
CEQ1 2 CEQ2T1 级 V 可选小些,T 级 V
CEQ1 2 CEQ2
I 取值考虑:设定主要根据I
CQ CQ
? I ? I
CM
,由于小信号电压放大电路I
CEQ
较小;
CM
另从减小噪声及降低直流功率损耗出发,T、T 工作电流应选小些。
1 2
T1 级静态工作点确定:
? V
取r
be1
? 3kΩ, 依r
be1
? r ?
bb
I T ,可推得
CQ1
TI ? ?V
T
CQ1 r ? r
其中? ? 100,r
bb
? 300,V
T
? 26mV
be1
可求得I
CQ1
bb
? 100 ? 26 ? 0.963mA 3000 ? 300
选 I ? 0.7mA ,I
I
? CQ1 ? 0.07mA , V
? 2V0.12V
CQ1
BQ1 ?
CEQ1
T2 级静态工作点确定:
一般应取 I
CQ2
? I
CQ1
, V
CEQ2
I
? V
CEQ1
选 : I
? 1.2mA , I
? CQ2 ? 0.012mA , V
? 4V3V
CQ2
BQ2 ?
CEQ2
偏置电路设计计算(设V ? 0.7V )
BEQ
T1 级偏置电路计算:
取I ? 10I ? 10 ? 0.007 ? 0.07mA
Rb1 BQ1
V ? 1 V ? 1 ?12 ? 4V
BQ1 3 CC 3
V ?V 12 ? 4
故: R ?
b1
CC BQ1
I
b1
?
0.07
? 114.286kΩ 取标称值 120 kΩ
1 1
P ? I 2 R
? 0.072 ?120 ? 0.588mW W 选 R 120 kΩ / W
Rb1 b1 b1
V
8 b1 8
4 4 4
R ?
b2 I
BQ1
Rb2
? I
Rb1
I
BQ1
? ? ? 63.492kΩ 取标称值 62 kΩ
0.07 ? 0.007 0.063
1 1
P ? I 2 R ? 0.0632 ? 62 ? 0.246mW W 选 R
62 kΩ / W
Rb2 b2 b2
V ?V
V ?V
8 b2 8
4 ? 0.7 3.3
R ? BQ1 BEQ1 ?
BQ1 BEQ1 ?
? ? 4.67kΩ
e1 I
EQ1
(1? ? )I
BQ1
101? 0.07 0.707
1P ? I 2 R ? 0.7072 ? 0.3 ? 0.15mW W
1
Rc1
P
Rc1
EQ1
? I
EQ2
c1
2 R
c1
8
1? 0.7072 ? 4.7 ? 2.15mW W
1
8
选R 300? / 1 W
e1 8
选R 4.3k? / 1 W
e1 8
V ?V ?V
V ?V
(V ?V
) 12 ? 2 ? 4 ? 0.7
R ? CC CEQ1 EQ1 C1 I
CQ1
取标称值 9.1kΩ
? CC CEQ1 BQ1 BEQ1 ?
I
CQ1
0.7
? 9.571kΩ
1 1
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