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本实用新型涉及一种芯片的封装结构，属于半导体芯片封装技术领域。其基板（9）上设置的散热盖（3）呈帽状结构，其帽檐部（31）的下表面与基板（9）连接，所述帽体部（33）呈隆起的内部腔体，所述帽体部（33）的内侧设置导热加强结构，所述导热加强结构为沟槽、坑、凸点的一种或几种组成的网状结构，对导热加强结构溅镀高导热金属；所述散热盖（3）的外侧表面设置铜箔层（4），所述铜箔层（4）的表面沉积石墨烯，形成石墨烯层（7）。本实用新型通过优化散热盖结构设计，减少了芯片装片时的散热材料和焊料溢出，提高了产品的导
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212461665 U
(45)授权公告日 2021.02.02
(21)申请号 202021912650.0
(22)申请日 2020.09.04
(73)专利权人 星科金朋半导体（江阴）有限公司
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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