一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构.pdfVIP

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2023-02-13 发布于四川
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一种SiC MOSFET模块陶瓷覆铜板结构.pdf

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本实用新型公开一种SiCMOSFET模块陶瓷覆铜板结构，包括底板、上桥臂、下桥臂、连桥、铝线，底板中部垂直交叉均匀设有多个焊接区域，上桥臂包括同侧设立的第一覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中上部的第六覆铜陶瓷基板且信号端外露，下桥臂包括设于另一侧的第二覆铜陶瓷基板、第四覆铜陶瓷基板和设于底板边缘中下部的第五覆铜陶瓷基板且信号端外露，第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、第三覆铜陶瓷基板与第四覆铜陶瓷基板呈田字形均匀设于焊接区域上；每个覆铜陶瓷基板上均设有芯片焊接区和多个栅极电阻。本实

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212485324 U (45)授权公告日 2021.02.05 (21)申请号 202021151093.5 (22)申请日 2020.06.19 (73)专利权人南京晟芯半导体有限公司