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一种基于硅与氧化硅叠层的硅振荡器结构,包括衬底硅,底层氧化层,中间硅层,中间氧化层,顶层硅层,顶层氧化层,内部电学连接,封堵结构,顶层金属件,空腔结构,谐振器结构;衬底硅作为谐振器的支撑层,底层氧化层为在底层硅上沉积的氧化层;顶层硅层为在中间氧化层上沉积硅薄膜,顶层氧化层为在顶层硅层形成的氧化层,谐振器结构设置在中间硅层上形成谐振器的主体结构部分。本实用新型的优点:采用硅与氧化层叠层结构,氧化物封堵开口技术,CVD淀积W或多晶硅掺杂封堵开口;采用SOI晶圆作为基底,利用光刻、刻蚀工艺,在顶层硅薄
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212517471 U
(45)授权公告日 2021.02.09
(21)申请号 202020651016.X
(22)申请日 2020.04.26
(73)专利权人 罕王微电子(辽宁)有限公司
知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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