一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件.pdfVIP

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2023-02-13 发布于四川
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一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件.pdf

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本实用新型公开了一种在隔离层加内嵌N+注入区的单向可控硅静电防护器件，本实用新型通过在浅N阱中加入与阳极相连的N+注入区，器件反向导通时，与阴极形成寄生二极管，使得反向路径不必经过隔离环，静电倾向于从寄生二极管泄放，从而降低反向导通路径的导通电阻，可有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力；本实用新型的单向可控硅器静电释放器件具有低导通电阻的特点，可在有效提高器件的反向失效电流和反向电流泄放能力的同时实现高防护等级。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212485326 U (45)授权公告日 2021.02.05 (21)申请号 202020986670.6 (22)申请日 2020.06.02 (73)专利权人湖