一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器.pdfVIP

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2023-02-13 发布于四川
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一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器.pdf

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一种由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，其特征在于：所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，包括硅电阻层，金属圆片，金属薄膜，键合界面，金属连接层；其中：硅电阻层为高温压力传感器电阻层，组成电桥，金属圆片为高温压力传感器主体结构，为硅电阻层提供衬底结构，金属圆片通过数控机床机械加工而形成金属薄膜3，为感受压力金属薄膜，键合界面是硅晶圆与金属圆片键合形成的键合界面，金属连接层起到电路连接的作用。本实用新型的优点：本实用新型所述的由硅到金属晶圆键合的高温高压传感器，原理结构简单，精度高，稳定性好，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212517241 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202020764372.2 G01L 9/08 (2006.01) (22)申请日 20