一种碳化硅MOSFET器件.pdfVIP

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2023-02-13 发布于四川
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一种碳化硅MOSFET器件.pdf

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本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET器件，包括碳化硅基底、SiO2薄膜层、栅电极、层间介质层及源极金属。碳化硅基底包括P阱、PPlus区域及两个NPlus区域，PPlus区域及两个NPlus区域形成于P阱内，且两个NPlus区域分别位于PPlus区域两端的正上方，两个NPlus区域之间沿其上表面方向开设有第一沟槽。SiO2薄膜层及栅电极覆盖于碳化硅基底的上表面除第一沟槽的位置，以在第一沟槽的正上方形成第二沟槽。栅电极覆盖于SiO2薄膜层的上表面。层间介质层覆盖于SiO2薄膜层与栅电极靠近第二沟

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212517214 U (45)授权公告日 2021.02.09 (21)申请号 202021001168.1 (22)申请日 2020.06.03 (73)专利权人深圳基本半导体有限公司