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本发明涉及一种半导体薄膜气体传感器。该半导体薄膜气体传感器包括衬底、以及设置于所述衬底第一表面的半导体薄膜;所述半导体薄膜表面设置有电极;所述半导体薄膜的上方设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述半导体薄膜底部设置有用于照射所述半导体薄膜的光源;或,所述衬底的第二表面设置有用于照射所述半导体薄膜的光源,所述衬底第一表面和所述衬底第二表面相对设置。本发明通过设置光源照射半导体薄膜,可以提高灵敏度,从而避免了高温加热,功耗更低、更为稳定,其可以检测氧气和甲烷,而现有SnO2纳米颗粒传感器对空气
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212658657 U
(45)授权公告日 2021.03.05
(21)申请号 202020972878.2
(22)申请日 2020.06.01
(66)本国优先权数据
2020100
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