一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管.pdfVIP

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2023-02-21 发布于四川
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一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管.pdf

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本实用新型公开了一种采用台面工艺的新型功率模块晶体管，包括晶体管本体，所述晶体管本体的下端为P型衬底，所述P型衬底的上端两侧对称设有绝缘体，所述P型衬底的上端中间设有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层与两侧的绝缘体之间分别设有源极和漏极。本实用新型采用台面工艺制造功率模块晶体管，能够轻松地通过穿通型结构和局部少子寿命控制来完善普通晶体管无法达到的高频低损耗特性；模块封装形式封装的晶体管，可以在不改变芯片大小的情况下使电流密度大幅度增加；同时在结构上采取模块化集成特性的设计模式，从而实现了关断损耗

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212725322 U (45)授权公告日 2021.03.16 (21)申请号 202021980469.3 (22)申请日 2020.09.11 (73)专利权人西