超低压触发器件.pdfVIP

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2023-02-21 发布于四川
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超低压触发器件.pdf

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超低压触发器件，包括从下到上依次为背面金属电极、P+衬底层、N型外延层、绝缘介质层、正面金属层，N型外延层端面一边到另一边依次设P+隔离层、N+多晶硅和P型基区；P+隔离层穿通至P+衬底层；N+多晶硅、P型基区两个区域中均设P+源区、N+源区。超低压触发器件的制作方法，包括如下步骤：淀积N型外延层；高温推进形成P+隔离层；淀积N+多晶硅，露出N型外延层；推结形成P型基区；在N+多晶硅、P型基区区域中，形成P+源区，随后光刻注入高浓度N型杂质形成N+源区；淀积绝缘介质层，完成正面金属层；淀积背面金

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212750894 U (45)授权公告日 2021.03.19 (21)申请号 202021225167.5 (22)申请日 2020.06.29 (73)专利权人成