一种半导体的静电防护结构.pdfVIP

  1. 1、本文档共7页,其中可免费阅读4页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
  2. 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
  3. 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  4. 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本实用新型实施例公开了一种半导体的静电防护结构,涉及半导体技术领域,本实用新型包括半导体,半导体周侧面安装有绝缘防护板,绝缘防护板一表面连接有若干滑块,半导体周侧面设置有滑槽,若干滑块与滑槽位置相适应,且滑块与滑槽滑动配合,半导体上表面设置有上盖板,上盖板表面安装有微型电机,微型电机的输出端连接有驱动轴,驱动轴贯穿上盖板,且驱动轴一端连接有扇叶,半导体表面设置有若干进气口,扇叶与进气口位置相适应,半导体底端安装有集尘槽,本实用新型半导体具备主动防护结构与被动防护结构,分别来源于半导体上端设置的吹

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212812111 U (45)授权公告日 2021.03.26 (21)申请号 202021390099.8 (22)申请日 2020.07.15 (73)专利权人 深圳市灿升实业发展有限公司

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
服务提供商

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档