一种重新布线的晶圆级封装结构.pdfVIP

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2023-02-25 发布于四川
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一种重新布线的晶圆级封装结构.pdf

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本实用新型提供了一种重新布线的晶圆级封装结构，包括衬底、依次位于衬底表面的钝化层、第一重新布线金属层、第一有机绝缘层和第二重新布线金属层，衬底表面具有多个引出电极，引出电极与衬底内对应的待封装的芯片电连接，钝化层覆盖引出电极的部分具有暴露出引出电极的第一开口，第一重新布线金属层通过第一开口与引出电极电连接，第一有机绝缘层具有暴露出第一重新布线金属层的第二开口，第二重新布线金属层通过第二开口与第一重新布线金属层电连接。由于钝化层的表面为采用CMP工艺处理过的表面，因此，可以直接在钝化层表面形成第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212874486 U (45)授权公告日 2021.04.02 (21)申请号 202022353831.0 (22)申请日 2020.10.21 (73)专利权人上海艾为电子技术股份有限公司