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本实用新型提出了晶体的生长装置。该生长装置包括：外壳，限定出腔体，且具有相对设置的第一开口和第二开口；保温层，设置在外壳的内壁；坩埚，被保温层环绕且用于盛熔汤；加热器，设置在坩埚与保温层之间；冷却套，设置在第一开口的下方；热屏，设置在冷却套的下方且由多个平行排列的钼片组成；第一微加热器，设置在热屏的下方且沿水平方向延伸。本实用新型不仅可以有效地阻挡晶体表面的热能散失，提高晶体轴向温度梯度，还能降低晶体径向温度梯度，同时也提高12寸及以上大尺寸晶体的成晶率，也使得在1300‑1400℃范围内维持较
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212955438 U
(45)授权公告日 2021.04.13
(21)申请号 202020719964.2
(22)申请日 2020.04.30
(73)专利权人 徐州鑫晶半导体科技有限公司
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