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2023-02-26 发布于四川
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本实用新型提供一种CMOS图像传感器，所述CMOS图像传感器包括：若干像素单元、位于所述像素单元上部的微透镜结构；所述微透镜结构包括：由多层透光铺设层堆叠的微透镜核，以及包覆所述微透镜核的微透镜外层，其中，多层透光铺设层具有不完全相同的折射率。本实用新型通过以透光铺设层作为硬掩模，形成多层透光铺设层构成的微透镜核，能够提高光刻和刻蚀工艺稳定性，并且所形成的图像传感器光敏感性和相对照度更好，像素之间的串扰更小。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 212967704 U (45)授权公告日 2021.04.13 (21)申请号 202020786287.6 (22)申请日 2020.05.13 (73)专利权人格科微电子（上海）有限公司