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本实用新型涉及半导体封装制造技术领域，特别是一种DFN1110‑3A高密度框架，包括板状结构的矩形框架，所述框架上设有多个芯片安装单元，横向相邻的芯片安装单元之间设有竖向连筋；所述芯片安装单元设有第一管脚和芯片区域，所述第一管脚和所述芯片区域之间为芯片安装单元镂空区；所述竖向连筋包括第一加强筋；所述第一加强筋的长度大于所述芯片安装单元镂空区的宽度；所述第一加强筋的一端连接所述第一管脚；所述第一加强筋的另一端连接所述芯片区域。将竖向连筋中的一部分设置加强筋，且与芯片安装单元镂空区域相匹配。充分利用
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 212967689 U
(45)授权公告日 2021.04.13
(21)申请号 202022502092.7
(22)申请日 2020.11.02
(73)专利权人 成都先进功率半导体股份有限公
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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