半导体器件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.14万字
约 18页
2023-02-28 发布于四川
举报
版权申诉

半导体器件.pdf

1、本文档共18页，其中可免费阅读9页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底上；绝缘层，位于外延层上；轻掺杂区，位于外延层中；以及导电层，位于绝缘层中，通过引线与轻掺杂区连接。该半导体器件通过设置轻掺杂区和导电层，减小了耗尽线的弯曲程度，进一步减小了耗尽线终端的弯曲程度，延长了耗尽线的长度，从而减小了场强，进而达到了提高半导体器件耐压程度的目的。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213026137 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202020690639.8 (22)申请日 2020.04.29 (73)专利权人杭州士兰微电子股份有限公司