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本实用新型提供一种电阻测试结构，有利于接触孔电阻的测试。电阻测试结构包括：第一晶体管和第二晶体管，共用同一源区和阱区，第一晶体管包括第一栅门、第一漏区以及源区，第二晶体管包括第二栅门、第二漏区以及源区；后端导线，位于源区之上，且与所述源区相垂直；接触孔，位于源区与后端导线之间，用于实现后端导线与源区的互连；第一通孔，连接第一栅门与第二栅门；第二通孔和第三通孔，均设置在后端导线上，且位于接触孔的两侧；第四通孔和第五通孔，分别设置于第一漏区和第二漏区上；第六通孔，设置于阱区上；以及六组测试节点，包括
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213026120 U
(45)授权公告日 2021.04.20
(21)申请号 202022359891.3
(22)申请日 2020.10.21
(73)专利权人 普迪飞半导体技术(上海)有限公
知识产权出版社有限责任公司（原名专利文献出版社）成立于1980年8月，由国家知识产权局主管、主办。长期以来， 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作， 经过多年来的积累，已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。
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