一种铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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一种铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法.pdf

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本发明公开一种基于Endura5500型直流磁控溅射台的铝硅铜厚金属薄膜物理气相淀积的腔体处理方法，当前一片晶圆金属铝硅铜溅射传出腔体后，对磁控溅射台的工艺腔体进行抽真空处理；在步骤S1抽真空的工艺腔体中通60s的正面氩气和基座氩气；对步骤S2处理后的工艺腔体进行抽真空30s；将下一片晶圆传入工艺腔体进行铝硅铜厚金属薄膜溅射；本发明通过控制并优化金属淀积后工艺腔体的真空度和基座温度，实现宇航级抗辐射VDMOS芯片生产过程中铝硅铜厚金属薄膜单腔淀积技术，同时解决批生产时正面金属化工艺不能多片连续作

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113308676 A (43)申请公布日 2021.08.27 (21)申请号 202110572621.7 (22)申请日 2021.05.25 (71)申请人西安