半导体结构及器件.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.39万字
约 14页
2023-03-01 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构及器件.pdf

1、本文档共14页，其中可免费阅读7页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构及器件，其结构包括第一掺杂类型的衬底、穿通区、第一注入区以及第二注入区，穿通区、第一注入区以及第二注入区为第二掺杂类型，穿通区上定义有沟槽区，沟槽区将衬底划分为多个芯片区；第一注入区和第二注入区均与穿通区相连通。第一注入区与衬底形成PN结，第二注入区与衬底也形成PN结，又由于第一注入区和第二注入区通过穿通区连通，因此，可以在衬底中形成PN结的各种器件，该器件可以根据电路设计的需要，选择在不同位置引出电极，从而加工成为不同功能的器件，具有很强的应用灵活性，由于前序工艺固定，不必要再多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213026135 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202022573210.3 (22)申请日 2020.11.10 (73)专利权人浙江里阳半导体有限公司