一种基于异质衬底的β-Ga2O3薄膜及其制备方法.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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一种基于异质衬底的β-Ga2O3薄膜及其制备方法.pdf

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本发明公开了一种基于异质衬底的β‑Ga2O3薄膜及其制备方法，所述薄膜自下而上包括：异质衬底、缓冲层和β‑Ga2O3外延层；所述缓冲层自下而上包括：第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层为所述异质衬底对应的氧化物缓冲层，所述第二缓冲层为氧化铝缓冲层。本发明能够在异质衬底和β‑Ga2O3之间生长第一缓冲层和第二缓冲层，所述第一缓冲层能够为第二缓冲层提供极好的成核点，提高第二缓冲层的质量，所述第二缓冲层，即氧化铝缓冲层，能够减少β‑Ga2O3外延层与异质衬底之间的晶格失配，减少β‑Ga2O3薄膜中的

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113517175 A (43)申请公布日 2021.10.19 (21)申请号 202110633977.7 (22)申请日 2021.06.07 (71)申请人西安电子科技大学