MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法.pdf

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本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石生长钼托及单晶金刚石的生长方法，属于气相沉积技术领域，包括：钼托底座以及分体的钼环，钼环层叠置于钼托底座上，且其外表面不凸出于钼托底座的外表面，钼环具有外接于金刚石衬底的通孔。本发明提供的MPCVD单晶金刚石生长钼托，能够解决金刚石衬底与卡槽侧壁的面面接触导致散热不均、结碳层难于清理、及金刚石衬底移动的问题。钼托结构简单，便于操作，在金刚石生长过程中，散热均匀，成本低廉，便于清洁，解决了在单晶金刚石生长时存在的一系列问题，对于研究高质量单晶金刚石的生长具有重大

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114686971 A (43)申请公布日 2022.07.01 (21)申请号 202210213400.5 (22)申请日 2022.03.04 (71)申请人中国电子科技集团公司第十三研究