基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器.pdf

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本实用新型公开了一种基于太赫兹波段的太赫兹超表面调制器，它包括底部的二氧化硅介质层（3），其特征在于：在二氧化硅介质层（3）上方设有均匀间隔排列石墨烯条（2），在石墨烯条（2）的上方设有金属十字结构（4），在金属十字结构（4）划分的四个区域分别设有开口的金属开口谐振环（1），金属十字结构（4）可以满足被入射电磁波直接激励，四个金属开口谐振环（1）的开口在不同方向。本实用新型该可以很好的应用于太赫兹波导和回旋管中，在保证太赫兹入射波高透射的基础上保证对反射波的重新利用。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213023815 U (45)授权公告日 2021.04.20 (21)申请号 202022518394.3 (22)申请日 2020.11.04 (73)专利权人桂林电子科技大学地