一种氧化镓基紫外发光二极管.pdfVIP

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2023-03-01 发布于四川
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一种氧化镓基紫外发光二极管.pdf

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本实用新型涉及一种氧化镓基紫外发光二极管，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3层、Ga2O3/GaN量子阱有源区、p型AlN/Ga2O3超晶格结构电子阻挡层、p型Ga2O3层和氧化铟锡透明导电层，在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极，在n型Ga2O3层上引出n型欧姆电极。本实用新型的优点在于：由于p型AlN/Ga2O3超晶格结构具有高吸收系数、高横向载流子迁移率，对载流子具有强的量子限制效应，作为电子阻挡层能够有效抑制电子溢出有源区；另外，采用p型G

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213071163 U (45)授权公告日 2021.04.27 (21)申请号 201922329880.8 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利