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本实用新型涉及一种氧化镓基紫外发光二极管,包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Ga2O3缓冲层、n型Ga2O3层、Ga2O3/GaN量子阱有源区、p型AlN/Ga2O3超晶格结构电子阻挡层、p型Ga2O3层和氧化铟锡透明导电层,在氧化铟锡透明导电层上引出p型欧姆电极,在n型Ga2O3层上引出n型欧姆电极。本实用新型的优点在于:由于p型AlN/Ga2O3超晶格结构具有高吸收系数、高横向载流子迁移率,对载流子具有强的量子限制效应,作为电子阻挡层能够有效抑制电子溢出有源区;另外,采用p型G
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213071163 U
(45)授权公告日 2021.04.27
(21)申请号 201922329880.8 (ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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